film the same substrate.
1. Interaction contribution to the - interfacial energy
Following the treatment given in Sec. III A1 for the interaction energy across the crystalline-amorphous- interface
1. the difference in ⅰ)bulk ⅱ)surface ⅲ)interfacial
energy of {Al2O3}-/2O3>-
2. The stability of the oxide films as a function of growth temperat
films were prepared on the ZnO pre-sputtered glass substrate using RF magnetron sputtering system. The PureZnO target was made from high purity ZnO powder (99.99 %) . The MZO/GZO targets were made from high purity ZnO powder (99.99 %) doped with the desired amount of high purity MgO, Ga2O3, powder (99.99 %), respectively. Prior to the deposition, the glass substrates were cleaned using the typica
2.2.2. Al2O3 분말 입도 크기 분포에 따른 밀도
- 입도크기가 5㎛ / 0.5 ㎛ 인 분말의 분율에 따른 소결시 밀도 변화로, 큰 분말의 분율이 높아질수록 밀도는 현저히 낮아졌다.
2.2.3. Al2O3 온도에 따른 밀도
- 소결온도가 높아짐에 따라 소결체의 밀도 또한 높아지며 1600도 이상의 고온에서 95% 이상의
국내에서 발생되는 생활폐기물의 처리방법 중 매립비율은 좁은 국토 면적 및 매립지 부족으로 인하여 점차 감소되어지고 있으며, 소각 및 재활용 비율은 증가하고 있다. 특히 소각처리 비율은 매년 증가하고 있으며, 또한 매년 건설되어지고 있는 생활폐기물 소각시설의 수도 증가하고 있다. 따라서 소
The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The purpose of the inversion layer's forming is to allow the flow of electrons through the gate-source junction. The voltage of oxide is given by
V_OX= 1/C_OX 2√(qN_A ε_Si V_0 )
SiO_2 V_O
2.3 C-V graph
The measured MOS capacitance (called gate capacitance) varies with the applied gate voltage.
① Measurement of C-V characteristics
-Apply any DC bias, and superimpose a small (15 mV) ac signal
-Generally measured at 1 MHz (high frequency) or at variable frequencies between 1KHz to 1 MHz
-The dc bias VG is slowly varied to get quasi-continuous C-V characteristics
② C-V chara
The GZO, MZO thin films were prepared on ZnO pre-sputtered glass substrate using RF Sputtering Technique. Morphological, Structural and Electrical properties of deposited films were investigated in comparison with pure ZnO Thin film by scanning electronic microscopy (SEM), Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), PL spectra and other electrical analytic method. SEM images showed al
1. 실험 목적
본 실험에서는 ZnO(산화아연)의 온도에 따른 결정성의 변화를 XRD를 통해 알아내는 과정에서 X선과 XRD의 정확한 개념의 이해와 XRD 관련 장비 활용 능력을 키워야 한다. 실험의 측정값을 얻은 이후에는 공부한 JCDPS 카드와 다른 이론들을 이용하여 입자의 크기를 구하고 온도에 따른 결정성
서론
1. PDP TV란
- PDP TV(Plasma Display panel TV)는 기존 브라운관 TV와 달리 얇은 유리 기판을 스크린으로 한 TV를 말한다. PDP TV는 Plasma 원리를 이용한 것으로 기판 사이에 혼합 가스를 넣고 높은 전압을 가해 이온가스를 생기게 한 뒤 이를 방전하여 컬러 영상을 만들도록 한다. 이것은 기존 TV에 비해 두께와